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        彭飞倒没直接回答，而是说道：“因为磷的掺杂浓度直接影响载流子迁移率，当载流子浓度较低时，电离杂质散射影响较小，迁移率较高。”

        “在2012年p博士等人通过降低（100）晶面金刚石中磷的掺杂浓度，将室温载流子迁移率提高至780cm??/（v·s）。”

        “所以，我们在他们的基础上，进一步降低了磷的掺杂浓度。这10组实验磷的掺杂浓度，是在4x10^15/cm~2x10^15/cm区间内依次选取的。”

        陈舟点了点头，10组实验互为对照。

        陈舟又想起来一件事，便问道：“明天的共掺杂实验，也是你这边进行的吧？”

        彭飞回道：“没错。共掺杂的实验，其实也是n型掺杂。只不过，不管是我们采用的mpcvd法在生长过程中掺杂，还是采用离子注入的方法，用单一元素去实现金刚石的n型掺杂，依然很难。”

        “但是通过将两种或两种以上的元素掺入金刚石，去实现金刚石的n型导电，就容易多了。”

        顿了顿，彭飞继续说道：“在单一元素n型掺杂中，氮元素和硫元素都不是适合的选项。但是在共掺杂中，硼和氮的共掺，硼和硫的共掺，还有磷和氮的共掺，却都可以实现金刚石的导电性。”

        听完彭飞的话，陈舟转而问道：“这个课题主要是对金刚石和金刚石半导体材料制备的研究，那对于性质的研究呢？”

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